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摘要：本申请公开了一种外延片及其清洗方法，涉及半导体制造技术领域。一种外延片的清洗方法，包括：对外延片上的污染物进行第一次氧化处理，以使部分污染物形成第一氧化膜；清洗外延片，以去除至少部分第一氧化膜；检测清洗后的外延片，获取外延片上残留的污染物的含量；若污染物的含量小于或等于预设值，则完成对外延片的清洗。本申请提供的外延片的清洗方法，可以有效去除外延片表面的各种污染物，提高外延片的洁净度，从而提高器件的产品良率。
主权项：1.一种外延片的清洗方法，其特征在于，包括：对外延片上的污染物进行第一次氧化处理，以使部分所述污染物形成第一氧化膜；清洗所述外延片，以去除至少部分所述第一氧化膜；检测清洗后的所述外延片，获取所述外延片上残留的所述污染物的含量；若所述污染物的含量小于或等于预设值，则完成对所述外延片的清洗。
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百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 一种外延片及其清洗方法
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