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摘要：本发明公开了一种晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管及沉积方法，涉及氮化硅沉积加工技术领域。晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管包括外管模块、内管模块、晶舟、进气模块和排气模块；进气模块包括第一集气管和第二集气管，第一集气管端部设有若干第一排气孔，第二集气管端部设有若干第二排气孔。本发明利用进气模块实现氨气和二氯硅烷混合气体的注入，混合气体经第一集气管端部的第一排气孔和第二集气管端部的第二排气孔注入第三腔体，再沿着径向流入第二腔体，使混合气体在相邻晶圆的缝隙内横向流动形成层流，进一步使气流稳定性提高，最终氮化硅薄膜的应力均匀性提高。

主权项：1.一种晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管，其特征在于：包括外管模块（1）、置于外管模块（1）第一腔体（1101）内的内管模块（2）、置于所述内管模块（2）第二腔体（2101）内的晶舟（3）、用于注入氨气和二氯硅烷混合气体的进气模块（4）和用于排出废气的排气模块（5）；所述外管模块（1）包括第一管体（11），所述内管模块（2）包括置于所述第一管体（11）内腔的第二管体（21）；所述第二管体（21）侧壁设有沿着径向外凸设置的弧板（211），所述弧板（211）内侧设有与所述第二腔体（2101）连通的第三腔体（2102）；所述弧板（211）外壁与所述第一管体（11）内壁连接；所述进气模块（4）包括进气管（41）、第一集气管（42）和第二集气管（43）；所述第一集气管（42）和所述第二集气管（43）均立置于所述第三腔体（2102）内；所述第一集气管（42）端部设有若干第一排气孔（422），所述第二集气管（43）端部设有若干第二排气孔（432）；所述晶舟（3）包括夹持组件（31），所述夹持组件（31）顶底两端分别安装有限位环（32）和保温底座；所述夹持组件（31）包括第一夹持杆组（311）和第二夹持杆组（312）；所述第一夹持杆组（311）包括若干呈定径弧线形布设的第一夹持杆，所述第二夹持杆组（312）包括若干呈定径弧线形布设的第二夹持杆；所述第一夹持杆组（311）所在的定径弧线与所述第二夹持杆组（312）所在的定径弧线同圆心设置；所述第一夹持杆组（311）两端的所述第一夹持杆分别为第一夹持杆a（311a）和第一夹持杆b（311b），所述第二夹持杆组（312）两端的所述第二夹持杆分别为第二夹持杆a（312a）和第二夹持杆b（312b）；所述第一夹持杆a（311a）和所述第二夹持杆a（312a）呈轴对称状设置，所述第一夹持杆b（311b）和所述第二夹持杆b（312b）呈轴对称状设置；所述第一夹持杆a（311a）和所述第二夹持杆a（312a）之间的直线距离小于所述第一夹持杆b（311b）和所述第二夹持杆b（312b）之间的直线距离；所述第一夹持杆a（311a）和所述第二夹持杆a（312a）分设于所述弧板（211）的左右两侧位置处；所述第一夹持杆和所述第二夹持杆均分别与所述第二管体（21）内壁贴合；所述第一夹持杆侧壁和所述第二夹持杆侧壁均分别设有用于卡接晶圆（6）的夹持槽（310）。

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