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摘要：本发明提供一种键合晶圆抛光方法，先对顶层硅层执行研磨工艺以减薄顶层硅层的厚度，研磨工艺后的顶层硅层的厚度大于顶层硅层的目标厚度；根据研磨工艺后的顶层硅层的厚度分布，预设载具的厚度以得到载具的预设厚度，当采用具有预设厚度的载具对顶层硅层执行化学机械抛光工艺时，可以使顶层硅层中的厚度较大的区域的抛光速率大于厚度较小的区域的抛光速率，由此增加抛光后的顶层硅层的表面平整度，从而减小顶层硅层的表面厚度差，进而提高顶层硅层的厚度均匀性。
主权项：1.一种键合晶圆抛光方法，其特征在于，包括：提供键合晶圆，所述键合晶圆包括自下而上依次层叠的支撑衬底、绝缘埋层和顶层硅层；对所述顶层硅层执行研磨工艺以减薄所述顶层硅层的厚度，所述研磨工艺后的所述顶层硅层的厚度大于所述顶层硅层的目标厚度；根据所述研磨工艺后的所述顶层硅层的厚度分布，预设载具的厚度以得到所述载具的预设厚度；采用具有所述预设厚度的载具对所述顶层硅层执行化学机械抛光工艺，以使所述顶层硅层中的厚度较大的区域的抛光速率大于厚度较小的区域的抛光速率，直至所述顶层硅层的厚度减薄至所述目标厚度。
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百度查询： 上海新傲芯翼科技有限公司 键合晶圆抛光方法
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