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摘要：本发明涉及一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，属于双面半导体电子电镀技术领域。本发明通过计算空间流体力学模型与实验数据反馈相结合不断构建、完善CFD空间模型，从而快速确立各种不同构造半导体器件的最佳清洗生产条件，经过CFD空间模型的不断迭代、升级以提高CFD空间模型的精度，有助于改进用于双面水洗半导体器件的双面清洗装置的各项参数，从而获取最优的镀件双面水洗控制方式，不仅能实现半导体器件双面清洗的均匀性，还能够实现彻底均匀清洗半导体器件，达到其表面无白斑、无污物和无色差的基本要求。
主权项：1.一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，应用于电子电镀工艺中对半导体器件的双面水洗过程，其特征在于，使用双面清洗装置对所述半导体器件进行双面水洗，通过使用所述优化方法计算并调整各项清洗条件以构建双面清洗效果最佳、半导体器件成品质量最佳的双面清洗装置；所述优化方法包括如下步骤：S1：构建基于清洗条件的数据库，并构建与所述数据库链接的初期计算流体力学空间模型；S2：抽取所述数据库中两种不同的清洗条件，对所述半导体器件进行清洗的流体实验操作，并将获取的清洗实验数据导入至初期计算流体力学空间模型；S3：根据所导入的清洗实验数据，将所述初期计算流体力学空间模型完善成初期CFD空间模型；S4：对所述初期CFD空间模型内的模拟数据进行优选，反馈应用于清洗的流体实验操作中，将后续获得的清洗实验数据导入至初期CFD空间模型，从而获取升级CFD空间模型；S5：循环S4，获取不断迭代的升级CFD空间模型，以提高CFD空间模型的精度；S6：选取S5中合适的某一代升级CFD空间模型作为应用CFD空间模型，使用所述应用CFD空间模型计算得出最佳清洗条件组，并根据最佳清洗条件组以调整并控制双面清洗装置。
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