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摘要：本申请涉及过流保护领域，提供了一种MOS管的保护电路，包括：采样放大电路，与所述MOS管连接，用于对所述MOS管的电流进行采样并放大，输出电流采样电压；比较电路，与所述采样放大电路连接，用于将所述电流采样电压与一基准电压比较，根据比较结果输出控制信号；锁存电路，连接在所述比较电路和所述MOS管的驱动芯片之间，所述锁存电路用于基于所述控制信号和PWM信号控制所述驱动芯片驱动所述MOS管的通断，以控制其电流在一定阈值以下。通过采样并放大MOS管的电流，将采样电压和基准电压比较，根据比较结果对驱动MOS管的PWM信号进行锁存或释放，控制MOS管的电流在一定阈值以下，实现对MOS管的过流保护，提高MOS管的寿命和电路安全性。

主权项：1.一种MOS管的保护电路，所述MOS管连接在具有电势差的两个连接点之间，其特征在于，所述保护电路包括：采样放大电路，与所述MOS管连接，用于对所述MOS管的电流进行采样并放大，输出电流采样电压；比较电路，与所述采样放大电路连接，用于将所述电流采样电压与一基准电压比较，根据比较结果输出控制信号；锁存电路，连接在所述比较电路和所述MOS管的驱动芯片之间，所述锁存电路用于基于所述控制信号锁存或释放接入的PWM信号，以控制所述驱动芯片驱动所述MOS管的通断，以控制其电流在一定阈值以下；所述比较电路在所述电流采样电压小于等于所述基准电压时，输出开通控制信号，所述锁存电路根据所述开通控制信号控制所述驱动芯片驱动所述MOS管在导通状态；所述比较电路在所述电流采样电压大于所述基准电压时，输出关断控制信号，所述锁存电路根据所述关断控制信号控制所述驱动芯片关断所述MOS管；所述锁存电路包括：锁存信号产生模块，用于在接收到开通控制信号时，关断锁存电压输出，还用于在接收到所述关断控制信号时，输出所述锁存电压，所述锁存电压大于所述PWM信号的高电平电压；第一比较器，其正相输入端、反相输入端分别连接所述PWM信号、所述锁存电压，所述第一比较器的输出端连接所述MOS管的驱动芯片，所述第一比较器在没有接收到所述锁存电压时，输出与所述PWM信号时序相同的驱动PWM，在接收到所述锁存电压时，将停止输出所述驱动PWM；所述锁存电路还包括过流检测模块，与所述比较电路和所述锁存信号产生模块连接，用于在接收到开通控制信号时，输出第一信号，在接收到关断控制信号是输出与所述第一信号电平相反的第二信号；所述锁存信号产生模块用于在接收到所述第一信号时，关断所述锁存电压输出，还用于在接收到所述第二信号时，输出所述锁存电压；所述过流检测模块包括一微处理器，所述微处理器具有一输入管脚和一输出管脚，所述输入管脚在接收到开通控制信号时，所述输出管脚输出第一信号；所述输入管脚在接收到关断控制信号时，所述输出管脚输出与所述第二信号；所述锁存信号产生模块包括高于预设电平导通的功率开关管，所述功率开关管的第一导通端通过一电阻连接电源，所述功率开关管的第一导通端还连接所述第一比较器的反相输入端，所述功率开关管的第二导通端接大地，所述功率开关管的控制端连接所述微处理器的输出管脚。

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