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摘要：本发明的一形态的摄像装置，具备：半导体层，包括第1导电型的第1区域、导电型与上述第1导电型相反的第2导电型的第2区域、以及上述第2导电型的第3区域；光电变换部，电连接于上述第1区域，将入射光变换为电荷；第1晶体管，包括第1源极、第1漏极及位于上述第2区域的上方的第1栅极，上述第1区域相当于上述第1源极或上述第1漏极；以及第2晶体管，包括第2源极、第2漏极及位于上述第3区域的上方的上述第2导电型的第2栅极，上述第1区域相当于上述第2源极或上述第2漏极，上述第2栅极电连接于上述第1区域。上述第3区域中的上述第2导电型的杂质的浓度比上述第2区域中的上述第2导电型的杂质的浓度高。
主权项：1.一种摄像装置，其特征在于，具备：半导体层，包括第1导电型的第1区域；光电变换部，电连接于上述第1区域，将入射光变换为电荷；第1晶体管，包括第1源极、第1漏极、与上述第1导电型相反的导电型即第2导电型的第1沟道区域及位于上述第1沟道区域的上方的第1栅极，上述第1区域相当于上述第1源极或上述第1漏极；以及第2晶体管，包括第2源极、第2漏极、上述第2电导型的第2沟道区域及位于上述第2沟道区域的上方的上述第2导电型的第2栅极，上述第1区域相当于上述第2源极或上述第2漏极，上述第2栅极电连接于上述第1区域；上述第2沟道区域中从上述第1区域离开了规定距离的位置并且上述第2栅极的下方的区域中的上述第2电导型的杂质的浓度，比上述第1沟道区域中从上述第1区域离开了上述规定距离的位置并且上述第1栅极的下方的区域中的上述第2电导型的杂质的浓度高。
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百度查询： 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
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