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摘要：本申请属于半导体领域，涉及用于碲锌镉晶体碲化镉晶体的焊接电极结构及制备方法、探测器，焊接电极结构包括：接触层，形成于碲锌镉或者碲化镉晶体层的像素区域上，接触层的面积与像素区域的面积相同；阻隔层，形成于接触层上，阻隔层由扩散阻挡层和阻焊层形成或者由阻焊层形成，用于防止低温焊料扩散至接触层，并提高焊接电极结构与低温焊料的结合力；焊接层，形成于阻隔层上，用于与低温焊料熔接，实现对碲锌镉或者碲化镉晶体层的低温焊接；其中低温焊料为熔点小于150℃且包含铟、铋、镓至少一个的合金焊料；阻焊层与低温焊料缓慢互溶形成金属间化合物。本申请能够防止焊接时低温焊料扩散至接触层中影响接触层与CZT晶体CdTe晶体的接触特性。

主权项：1.一种用于碲锌镉晶体碲化镉晶体的焊接电极结构，其特征在于，包括：接触层，形成于碲锌镉晶体层或者碲化镉晶体层的像素区域上，所述接触层的面积与所述像素区域的面积相同；阻隔层，形成于所述接触层上，所述阻隔层由扩散阻挡层和阻焊层形成，用于防止低温焊料扩散至所述接触层，并提高焊接电极结构与所述低温焊料的结合力；焊接层，形成于所述阻隔层上，用于与所述低温焊料熔接，实现对所述碲锌镉晶体层或者所述碲化镉晶体层的低温焊接；其中，所述阻隔层和所述焊接层通过一次或多次光刻掩膜工艺制备形成，所述阻隔层和所述焊接层中至少一层的面积沿远离所述接触层的方向小于前层面积；所述低温焊料为熔点小于150℃且包含铟、铋、镓至少一个的合金焊料；所述阻焊层与所述低温焊料缓慢互溶形成金属间化合物，所述阻焊层与低温焊料的溶解度大于0且小于0.1%，所述阻焊层通过闪蒸法制备；所述阻隔层为多层结构，所述多层结构包括一个或多个所述扩散阻挡层和一个或多个所述阻焊层，当所述多层结构包括多个扩散阻挡层和多个阻焊层时，所述扩散阻挡层和所述阻焊层交替叠加；所述接触层为Au、Pt、Cu中的至少一种；所述阻焊层为Ni或者Pd中至少一种；所述焊接层为Cu、Sn、In、Au中的至少一种，所述焊接层的厚度大于或等于50nm且小于或等于1500nm；以及，所述阻隔层包含扩散阻挡层，所述扩散阻挡层为Pt、Cr、Ti、W、Cr-Cu合金中的至少一种，与所述低温焊料互不相溶；当所述阻隔层由一个所述扩散阻挡层和一个所述阻焊层组成时，所述扩散阻挡层的厚度大于或等于10nm且小于或等于1000nm，所述阻焊层的厚度大于或等于25nm且小于或等于1500nm，所述阻隔层的总厚度大于或等于35nm且小于或等于1510nm；其中，所述扩散阻挡层与所述接触层直接接触；当所述阻隔层由多个扩散阻挡层和多个阻焊层交替叠加组成时，所述扩散阻挡层的厚度大于或等于10nm且小于或等于490nm，所述阻焊层的厚度大于或等于10nm且小于或等于490nm，并且所述阻隔层的总厚度大于或等于30nm且小于或等于1500nm；其中，第一扩散阻挡层与所述接触层直接接触。

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