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摘要：本发明涉及光电成像器件技术领域，公开了一种电子轰击成像型光电器件及高速相机，电子轰击成像型光电器件包括：真空容器，真空容器上设有光学输入窗，真空容器内设有：光电阴极，加速系统，调制系统，扫描系统，电势等位区，还包括半导体成像系统，用于对偏移后的电子束进行收集并成像，并对电子束的图像信息进行一定增益的放大。这种电子轰击成像型光电器件，能够实现一定倍率的光学图像增强功能，还能够进一步提升光电成像器件的分辨率以及信噪比等关键参数，同时能够进一步减小以此光电成像器件为核心的高速相机的体积以及重量。

主权项：1.一种电子轰击成像型光电器件，包括：真空容器，真空容器上设有光学输入窗，真空容器内设有：光电阴极，用来接收光子并将光子转换为电子，形成电子束；加速系统，用来对电子束进行加速；调制系统，用来改变加速后电子束的运动轨迹，实现电子束的聚焦；扫描系统，用来实现对聚焦后的电子束的空间位置进行调整，扫描系统利用变电场或者变磁场对经过聚焦后的电子束进行垂直于轴向方向的偏移运动；电势等位区，为等电压区域，用来实现电子在垂直于轴向方向具有足够漂移量的电子漂移区域，用于实现偏移运动的电子束图像信息的自由漂移；其特征在于，还包括半导体成像系统，用于对偏移后的电子束进行收集并成像，并对电子束的图像信息进行一定增益的放大；所述半导体成像系统包括：半导体器件2、过真空电传输部件和信号处理电子学部件，半导体器件2和过真空电传输部件设置在真空容器内，信号处理电子学部件设置在真空容器外，经过空间位置调制后的电子束轰击半导体器件2使半导体器件2的内部产生一定强度的载流子，载流子的数目大于光电阴极将光子转换为电子的数目，电子束轰击半导体器件2后输出各个成像单元对应的电子信号，过真空电传输部件用来将半导体器件2输出的各个成像单元对应的电子信号进行输出至信号处理电子学部件进一步进行信号处理；对所述加速系统与所述光电阴极施加不同的电压值，利用两者之间的电压差对光电阴极发射的电子束进行加速，使得电子束的运动速度在皮秒或者纳秒量级的时间内达到接近光速的数量级，所述加速系统为单个电极或多个电极的组合体；所述半导体器件2通过电极过真空部件3设置在真空容器内，电极过真空部件3包括电极转换极阵列3-1和基底3-2，电极转换极阵列3-1固定设置在基底3-2上，电极转换极阵列3-1包括多个电极转换极，所述电极转换极为公母头结构，与半导体器件2相连接的部分为母头结构，其尺寸以及形状视半导体器件输出电极的形状以及尺寸而进行精密配合设计，电极转换极阵列3-1也根据半导体器件输出电极的具体排列而进行精密分布设计；所述半导体器件包括CCD、CMOS或APD，过真空电传输部件由陶瓷材料、玻璃材料或者金属材料制备而成，过真空电传输部件包含用于输出半导体器件信号的传输线。

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