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摘要：本发明公开了一种存储器装置及其写入方法。控制电路对非易失性存储器的多个存储单元执行第一写入操作及第一写入验证操作，于上述多个存储单元通过第一写入验证操作后，对上述多个存储单元中对应至少一目标阈值电压的多个目标存储单元执行第二写入验证操作，于上述多个目标存储单元的失效位数未小于预设位数时，对上述多个存储单元执行第二写入操作及第三写入验证操作。
主权项：1.一种存储器装置，其中，包括：一非易失性存储器；以及一控制电路，对该非易失性存储器的多个存储单元执行一第一写入操作及一第一写入验证操作，于这些存储单元通过该第一写入验证操作后，对这些存储单元中对应至少一目标阈值电压的多个目标存储单元执行一第二写入验证操作，于这些目标存储单元的失效位数未小于预设位数时，对这些存储单元执行一第二写入操作及一第三写入验证操作；其中，该第一写入验证操作用于判断这些存储单元是否达到预期的对应的阈值电压值。
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百度查询： 旺宏电子股份有限公司 存储器装置及其写入方法
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