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摘要：本发明公开了一种可分级关断的IGBT驱动电路，包括开通模块、关断模块、状态检测模块及逻辑处理模块。所述关断模块包括第一关断通路及第二关断通路。所述状态检测模块用于实时获取IGBT的门极电压，并根据门极电压的大小输出电平信号至所述逻辑处理模块。所述逻辑处理模块对所述电平信号及PWM控制信号进行逻辑处理后输出控制信号，以在IGBT需要关断时控制切换所述第一关断通路及所述第二关断通路，并通过至少两次降低门极电压至不同的预设电压来实现分级关断IGBT。本发明还公开了一种可分级关断的IGBT驱动方法。如此，无需增加光耦等隔离器件来传输多路控制信号，使得电路简单化，降低设计成本。

主权项：1.一种可分级关断的IGBT驱动电路，包括与IGBT门极电连接的开通模块及关断模块，通过PWM控制信号控制所述开通模块及关断模块的导通与关闭，以对应控制IGBT的开通与关断，其特征在于，所述可分级关断的IGBT驱动电路还包括与IGBT的门极电连接的状态检测模块、与所述开通模块、关断模块、状态检测模块电连接的逻辑处理模块，所述关断模块包括第一关断通路及第二关断通路，所述状态检测模块用于实时获取IGBT的门极电压，并根据门极电压的大小输出对应的电平信号至所述逻辑处理模块，所述逻辑处理模块对所述电平信号及所述PWM控制信号进行逻辑处理后输出控制信号，以在IGBT需要关断时控制切换第一关断通路及所述第二关断通路，并通过至少两次降低IGBT门极电压至不同的预设电压来实现分级关断IGBT，其中，所述状态检测模块设置所述预设电压，所述第一关断通路与所述第二关断通路用于为IGBT提供不同阻值的门极电阻；所述开通模块包括电阻Rgon及MOS管Q1，所述MOS管Q1的源极连接电源V1，所述MOS管Q1的漏极通过所述电阻Rgon与IGBT的门极电连接，所述MOS管Q1的栅极与所述逻辑处理模块电连接；所述第一关断通路包括电阻Rgoff及MOS管Q2，所述MOS管Q2的源极电连接于电源V2，所述MOS管Q2的漏极通过所述电阻Rgoff电连接至IGBT的门极，所述MOS管Q2的栅极与所述逻辑处理模块电连接；所述第二关断通路包括电阻Rssd及MOS管Q3，所述MOS管Q3的源极接中点电位，所述MOS管Q3的漏极依次通过所述电阻Rssd及所述电阻Rgoff后与IGBT的门极电连接，所述MOS管Q3的栅极与所述逻辑处理模块电连接；所述状态检测模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、施密特触发器T1、施密特触发器T2及比较器OP1，所述施密特触发器T1的输入端通过所述电阻R1电连接于IGBT的门极，所述施密特触发器T1的输入端还通过所述电阻R3接中点电位，所述施密特触发器T1的输出端反向后与所述比较器OP1的反相输入端电连接；所述施密特触发器T2的输入端通过所述电阻R2电连接于IGBT的门极，所述施密特触发器T2的输入端还通过所述电阻R4接中点电位，所述施密特触发器T2的输出端反向后与所述比较器OP1的同相输入端电连接；所述比较器OP1的输出端与所述逻辑处理模块电连接；所述逻辑处理模块包括或非门NAND、非门U1、非门U2、非门U3及非门U4，所述或非门NAND的第一输入端用于输入PWM控制信号，所述或非门NAND的第一输入端通过所述非门U1电连接于所述MOS管Q1的栅极，所述或非门NAND的第一输入端还通过所述非门U2电连接于所述MOS管Q3的栅极，所述或非门NAND的第二输入端与所述比较器OP1的输出端电连接，所述或非门NAND的输出端依次串联所述非门U3和非门U4后与所述MOS管Q2的栅极电连接。

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