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摘要：本发明提供具有n型接触层的发光元件及其制造方法，该n型接触层通过费米能级与导带的简并有效地降低了电阻，且由将Si作为掺杂剂的AlGaN构成。作为本发明的一个方式，提供发光元件1，其具备费米能级与导带简并的由AlGaN构成的n型接触层12、和层叠于n型接触层12的由AlGaN构成的发光层13，n型接触层12的Al成分比发光层13的Al成分大10％以上且为70％以下，n型接触层12含有发生上述简并的浓度且为4.0×1019cm‑3以下的浓度的Si。
主权项：1.一种发光元件，具备：由n型的AlGaN构成的n型接触层，所述n型接触层上的发出深紫外光的发光层，所述发光层上的由含有二维空穴气的AlGaN构成的电流扩散层，与所述电流扩散层的上表面的一部分连接的、由p型的GaN或Al成分为35％以下的p型的AlGaN构成的p型接触层，与所述n型接触层连接的n电极，以及与所述p型接触层连接的p电极；在所述n型接触层的阴极发光测定中，未确认到由于III族空穴与Si的复合缺陷所致的峰；所述电流扩散层的所述上表面的接触所述p型接触层的区域的面积在所述上表面的全部区域的面积的40％～80％的范围内。
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百度查询： 丰田合成株式会社 发光元件及其制造方法
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