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摘要：本发明公开一种低压低容SCR结构保护器件及其制作方法，器件包括N‑单晶片、形成在所述N‑单晶片表面的P‑区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第一P+区、第二P+区、第三P+区、第四P+区、设置于所述N‑单晶片上方的介质层以及设置于所述介质层上方的第一金属层和第二金属层，所述第三N+区位于所述第四P+区下方，所述第一N+区一侧形成第一槽，所述第一N+区和所述第一P+区之间形成第二槽，所述第一P+区和所述第四P+区之间形成第三槽，所述第四P+区和所述P‑区之间形成第四槽，所述P‑区一侧形成第五槽。本发明提供了一种低压低容SCR结构保护器件，可以在芯片面积不变的条件下，通过合理的结构和工艺设计，获得更低的击穿电压、更低的电容以及更高的ESD抗干扰能力。
主权项：1.一种低压低容SCR结构保护器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01、制备N-单晶片101，生长牺牲氧化层；步骤02、正面光刻、硼注入、推进，形成P-区102；步骤03、正面光刻、磷注入、推进，形成N+区103a、103b；步骤04、正面光刻、硼注入、推进，形成P+区104a、104b、104c；步骤05、正面光刻、硅刻蚀，形成槽109a、109b、109c、113、109d、109e，正面光刻、磷注入、推进，形成N+区105；步骤06、正面淀积多晶硅、正面光刻，多晶硅刻蚀，只保留槽113填充的多晶硅，正面光刻，硼注入，快速热退火，形成P+区110；步骤07、正面淀积介质层，填充槽109a、109b、109c、109d、109e，并形成硅表面介质层106；步骤08、正面光刻形成接触孔区；步骤09、正面溅射或蒸发金属，正面金属光刻，金属刻蚀，形成金属区；步骤10、背面减薄。
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