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一种用于改进谐波的射频开关电路 

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摘要:本发明公开了一种用于改进谐波的射频开关电路,涉及射频集成电路技术领域。本发明包括:串联支路模块:包括2N个第一开关晶体管、第一源漏电阻、栅极偏置电阻、体区偏置电阻,2N‑1个第一栅极串联电阻、体区串联电阻,一个第一栅极公共端电阻、体区公共端电阻;并联支路模块:包括2M个第二开关晶体管、偏置晶体管、第二源漏电阻、第二栅极偏置电阻,2M‑1个第二栅极串联电阻以及1个第二栅极公共端电阻。本发明提高了射频开关各级堆叠管的耐压均匀性、谐波性能以及射频开关的最大输入功率,同时串联支路的栅极偏置电压VG1与中间的第N级相连、体区偏置电压VG2与中间的第N级相连满足了多场景的应用模式。

主权项:1.一种用于改进谐波的射频开关电路,其特征在于,包括:串联支路模块:包括2N个第一开关晶体管M11、2N个第一源漏电阻Rds1、2N个栅极偏置电阻R11、2N个体区偏置电阻R12、2N-1个第一栅极串联电阻R21、2N-1个体区串联电阻R22、一个第一栅极公共端电阻R31以及一个体区公共端电阻R32;所述N为正整数;第1级第一开关晶体管M11的漏极与第一射频输入输出端口RF1相连,第1级第一开关晶体管M11的源极与第二级第一开关晶体管M11的漏极相连,第1级第一开关晶体管M11的源极、漏极分别与第一源漏电阻Rds1的两端相连;第1级第一开关晶体管M11的栅极与第1级栅极偏置电阻R11的一端相连,第1级栅极偏置电阻R11的另一端与第1级第一栅极串联电阻R21的一端相连;第1级第一开关晶体管M11的体区与第1级体区偏置电阻R12的一端相连,第1级体区偏置电阻R12的另一端与第1级体区串联电阻R22的一端相连;第二级至第2N-1级的的第一开关晶体管M11、第一源漏电阻Rds1、栅极偏置电阻R11、第一栅极串联电阻R21、体区偏置电阻R12、体区串联电阻R22的连接方式按照以上所述连接进行类推连接;第2N级第一开关晶体管M11的漏极与第2N-1级第一开关晶体管M11的源极相连,第2N级第一开关晶体管M11的源极与第二射频输入输出端口RF2相连,第2N级第一开关晶体管M11的源极、漏极分别与第一源漏电阻Rds1的两端相连,第2N级第一开关晶体管M11的栅极与第2N级栅极偏置电阻R11的一端相连,第2N级栅极偏置电阻R11的另一端与第2N-1级第一栅极串联电阻R21的一端相连;第2N级第一开关晶体管M11的体区与第2N级体区偏置电阻R12的一端相连,第2N级体区偏置电阻R12的另一端与第2N-1级体区串联电阻R22的一端相连;并联支路模块:包括2M个第二开关晶体管M12、2M个偏置晶体管M2、2M个第二源漏电阻Rds2、2M个第二栅极偏置电阻R4、2M-1个第二栅极串联电阻R5和1个第二栅极公共端电阻R6;所述M为正整数;第1级第二开关晶体管M12的漏极与第一射频输入输出端口RF1相连,第1级第二开关晶体管M12的源极与第2级第二开关晶体管M12的漏极相连,第1级第二开关晶体管M12的源极、漏极分别与第二源漏电阻Rds2的两端相连,第1级第二开关晶体管M12的体区与第1级偏置晶体管M2的漏极相连,第1级偏置晶体管M2的漏极与栅极相连,第1级偏置晶体管M2的源极与第1级第二开关晶体管M12的栅极相连,第1级第二开关晶体管M12的栅极与第1级栅极偏置电阻R4的一端相连,第1级栅极偏置电阻R4的另一端与第1级第二栅极串联电阻R5的一端相连;以此类推,第2级到第2M-1级的第二开关晶体管M12、偏置晶体管M2、第二源漏电阻Rds2、第二栅极偏置电阻R4、第二栅极串联电阻R5的连接方式与以上所述相同;所述第2M级第二开关晶体管M12的漏极与第2M-1级第二开关晶体管M12的源极相连,第2M级第二开关晶体管M12的源极与地相连,第2M级第二开关晶体管M12的源极、漏极分别与第二源漏电阻Rds2的两端相连,第2M级第二开关晶体管M12的体区与第2M级偏置晶体管M2的漏极相连,第2M级偏置晶体管M2的漏极与栅极相连,第2M级偏置晶体管M2的源极与第2M级第二开关晶体管M12的栅极相连,第2M级第二开关晶体管M12的栅极与第2M级偏置晶体管M2的一端相连,第2M级第二栅极偏置电阻R4的另一端与第2M-1级第二栅极串联电阻R5的一端相连。

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