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摘要：本实用新型实施例公开一种半导体结构，包括：漏极区；衬底；外延区；第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区之间存在间距；源极区；绝缘层，位于所述外延区远离所述衬底的一侧，所述绝缘层具有第一表面；加强层，位于所述绝缘层的所述第一表面远离所述衬底的一侧，所述加强层在所述外延区上的正投影位于所述第一阱区和所述第二阱区之间，所述加强层的耐电场强度强于所述绝缘层的耐电场强度；所述外延区与所述源极区的掺杂类型相同，所述第一阱区和所述第二阱区的掺杂类型相同且与所述外延区和所述源极区的掺杂类型不同。本实用新型实施例在保证绝缘层较薄的情况下，不增加导通电阻，以此增强半导体结构的性能，增加其可靠度。
主权项：1.一种半导体结构10，其特征在于，包括：漏极区800；衬底700，位于所述漏极区800上；外延区100，位于所述衬底700远离所述漏极区800的一侧；第一阱区200和第二阱区210，所述第一阱区200和所述第二阱区210位于所述外延区100内远离所述衬底700的一端，所述第一阱区200与所述第二阱区210相对设置且所述第一阱区200和所述第二阱区210之间存在间距；源极区300，位于所述第一阱区200和所述第二阱区210内远离所述衬底700的一端；绝缘层400，位于所述外延区100远离所述衬底700的一侧，所述绝缘层400靠近所述外延区100的一侧具有第一表面411，所述绝缘层400横跨所述第一阱区200、所述第二阱区210和所述源极区300且与所述第一阱区200、所述第二阱区210和所述源极区300接触；栅极层500，位于所述绝缘层400远离所述衬底700的一侧；加强层600，位于所述绝缘层400的所述第一表面411远离所述衬底700的一侧，所述加强层600在所述外延区100上的正投影位于所述第一阱区200和所述第二阱区210之间，所述加强层600的耐电场强度强于所述绝缘层400的耐电场强度；其中，所述外延区100与所述源极区300的掺杂类型相同，所述第一阱区200和所述第二阱区210的掺杂类型相同且与所述外延区100和所述源极区300的掺杂类型不同。
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百度查询： 湖南虹安微电子有限责任公司 半导体结构
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