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摘要：本实用新型提供一种半导体结构，包括至少一个局部硅互连LSI桥，经模制化合物中介层框架横向包围；以及多个单元通孔集合，在模制化合物中介层框架中沿着第一水平方向和沿着第二水平方向重复。从多个单元通孔集合中选择的第一单元通孔集合，包括：贯穿中介层通孔结构，垂直延伸穿过模制化合物中介层框架；以及两个对准标记通孔集合，位于模制化合物中介层框架的两个拐角区域中并且彼此对角间隔开。本实用新型可以防止在用于放置局部硅互连桥的后续拾取和放置操作期间，将对准通孔结构的图案识别错误。
主权项：1.一种包括复合式中介层的半导体结构，其特征在于，所述复合式中介层包括：至少一个局部硅互连桥，经模制化合物中介层框架横向包围；以及多个单元通孔集合，在所述模制化合物中介层框架中沿着第一水平方向和沿着第二水平方向重复，其中从所述多个单元通孔集合中选择的第一单元通孔集合，包括：贯穿中介层通孔结构，垂直延伸穿过所述模制化合物中介层框架；以及两个对准标记通孔集合，位于所述模制化合物中介层框架的两个拐角区域中并且彼此对角间隔开，其中：两个所述对准标记通孔集合中的每一者包括位于相应矩形区域内的对准通孔结构的相应组，相应的所述矩形区域由包括所述对准通孔结构的相应组的整个区域的相应最小矩形来定义；以及所述矩形区域与所述模制化合物中介层框架的每个侧壁横向间隔至少所述矩形区域的最大侧大小。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构
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