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摘要：本公开的实施例涉及具有减小的栅极振荡的HEMT功率器件及其制造方法。一种异质结功率器件，包括：包含半导体材料的衬底；第一有源区和第二有源区，其相对于对称轴线对称地相对布置在衬底上并容纳相应的异质结构；分隔区域，其沿着对称轴线在第一有源区和第二有源区之间延伸。功率器件还包括：第一导电总线，其被配置为将功率器件的第一电位平行地分配到第一有源区和第二有源区；第二导电总线，其被配置为将功率器件的与第一电位不同的第二电位平行地分配到第一有源区和第二有源区。第一导电总线和第二导电总线沿着对称轴线在分隔区域上方延伸，并且第二导电总线叠置在第一导电总线上方。
主权项：1.一种异质结功率器件，包括：衬底，所述衬底包括半导体材料；第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区相对于对称轴线对称地相对布置在所述衬底上并容纳相应的异质结构；分隔区域，所述分隔区域沿着所述对称轴线在所述第一有源区和所述第二有源区之间延伸；第一导电总线，所述第一导电总线被配置为将所述功率器件的第一电位平行地分配到所述第一有源区和所述第二有源区；以及第二导电总线，所述第二导电总线被配置为将所述功率器件的与所述第一电位不同的第二电位平行地分配到所述第一有源区和所述第二有源区，其中所述第一导电总线和所述第二导电总线沿着所述对称轴线在所述分隔区域上方延伸，所述第二导电总线叠置在所述第一导电总线上。
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