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摘要：本公开的实施例涉及具有改进电导率的HEMT器件及其制造方法。一种HEMT器件包括：半导体主体，其形成异质结构；栅极区域，其在半导体主体上并且沿着第一轴被延长；栅极金属区域，其包括下部分和上部分，下部分在栅极区域上并且相对于栅极区域凹陷，上部分在下部分上并且具有沿着第二轴的宽度，该宽度比下部分的宽度大；源极金属区域，其在半导体主体上延伸并且部分地由铝制成；漏极金属区域，其在半导体主体上，源极金属区域和漏极金属区域在栅极区域的相对的侧上；氮化铝的第一电导率增强区域，第一电导率增强区域在半导体主体上延伸，并且被插置在源极金属区域与栅极区域之间，第一电导率增强区域与源极金属区域直接接触并且与栅极区域分离。
主权项：1.一种HEMT器件，包括：半导体主体，所述半导体主体具有半导体异质结构；栅极区域，所述栅极区域在所述半导体主体上，并且沿着第一轴被延长；栅极金属区域，所述栅极金属区域包括相应的下部分和相应的上部分，相应的所述下部分在所述栅极区域上，并且相对于所述栅极区域被横向地凹陷，相应的所述上部分在所述下部分上，并且具有沿着第二轴的宽度，所述宽度比所述下部分的宽度大；源极金属区域，所述源极金属区域在所述半导体主体上延伸，并且包括铝；导电材料的漏极金属区域，所述漏极金属区域在所述半导体主体上延伸，所述源极金属区域和所述漏极金属区域在所述栅极区域的相对的侧上延伸；以及氮化铝的第一电导率增强区域，所述第一电导率增强区域在所述半导体主体上延伸，并且被横向地插置在所述源极金属区域与所述栅极区域之间，所述第一电导率增强区域与所述源极金属区域直接接触并且与所述栅极区域分离。
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