龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：描述了具有背面触点拼接的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括与第二多个水平堆叠的纳米线横向间隔开的第一多个水平堆叠的纳米线。第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构在第一多个水平堆叠的纳米线和第二多个水平堆叠的纳米线的相应端部处。导电触点结构在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构下方并与第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构接触，并且导电触点结构在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构之间是连续的。导电触点结构在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构下方的第一垂直厚度大于在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构之间的区域中的第二垂直厚度。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：第一多个水平堆叠的纳米线；第二多个水平堆叠的纳米线，所述第二多个水平堆叠的纳米线与所述第一多个水平堆叠的纳米线横向间隔开；第一外延源极或漏极结构，所述第一外延源极或漏极结构在所述第一多个水平堆叠的纳米线的端部处；第二外延源极或漏极结构，所述第二外延源极或漏极结构在所述第二多个水平堆叠的纳米线的端部处；以及导电触点结构，所述导电触点结构在所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构下方并与所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构接触，所述导电触点结构在所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构之间是连续的，并且所述导电触点结构在所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构下方的第一垂直厚度大于在所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构之间的区域中的第二垂直厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有背面触点拼接的集成电路结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号