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摘要：本文描述了与耦合位于器件层的相反侧上的背面和正面金属化层有关的器件、晶体管结构、系统和技术。一种器件包括：具有在源极和漏极之间延伸的半导体结构以及位于源极和漏极之间的栅极的晶体管；在位于晶体管之上的正面金属化部和位于晶体管下方的背面金属化部之间延伸的桥接过孔；以及位于桥接过孔与晶体管的部件之间的薄绝缘衬垫。
主权项：1.一种设备，包括：晶体管，其包括在源极结构和漏极结构之间延伸的一个或多个半导体结构以及与所述一个或多个半导体结构的一个或多个沟道区相邻的栅极结构；从位于所述晶体管之上的正面金属化部延伸至位于所述晶体管下方的背面金属化部的过孔，其中，所述过孔具有与所述正面金属化部相邻的第一宽度；以及位于所述过孔的侧壁上的绝缘衬垫层，其中，所述绝缘衬垫层具有与所述第一宽度相邻的不大于所述第一宽度的五分之一的第二宽度。
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百度查询： 英特尔公司 用于背面互连的自对准过孔图案化
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