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摘要：本发明公开了一种掩膜版霉点抑制方法，涉及掩膜版清洗方法领域，包括采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移。本发明通过采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移，掩膜版表面钠离子含量降低到了每平方厘米1×10‑7g以下，掩膜版亚表面层的钠离子含量降低到了原来的2％，相比现有技术中未经真空微波高压电场复合处理工艺处理的掩膜版表面每平方厘米钠离子含量在5×10‑6g以上具有显著的优势。
主权项：1.一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，包括采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移。
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百度查询： 成都路维光电有限公司 一种掩膜版霉点抑制方法
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