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摘要：本发明公开了一种超低阻高耐压高分子PTC器件芯片制备方法及相应PTC器件，涉及热敏电阻器件技术领域。本发明提供的超低阻高耐压高分子PTC器件芯片，包括高分子PTC芯材和粘接在所述高分子PTC芯材两面的粗化电极膜；所述高分子PTC芯材由聚乙烯和改性接枝碳化钨复合得到。本发明通过对碳化钨粉表面进行接枝改性，提高了碳化钨粉与聚乙烯基体之间的相容性，经接枝改性的碳化钨粉由于表面改性经过交联减少了粉体在熔融加工过程中的团聚和改性结构破裂分解，采用该芯片做成的PTC器件在高压或开关循环时接枝碳化钨表面的交联结构不容易产生包覆层的破裂和碳化钨颗粒的爬弧击穿，有效提高了低阻高分子PTC器件的耐压值。本发明提供的超低阻高耐压高分子PTC器件芯片其耐压等最高可以达到24V耐压。
主权项：1.一种超低阻高耐压高分子PTC器件芯片，其特征在于，包括高分子PTC芯材和粘接在所述高分子PTC芯材两面的粗化电极膜；所述高分子PTC芯材由聚乙烯和改性接枝碳化钨复合得到，所述超低阻高耐压高分子PTC器件芯片的耐压为10～24V。
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百度查询： 深圳市金瑞电子材料有限公司 一种超低阻高耐压高分子PTC器件芯片制备方法及相应PTC器件
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