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摘要：本发明属于集成电路领域，具体涉及一种单端比较器、多比特SAR‑ADC电路及其芯片。单端比较器包括三个PMOS管P0～P2，三个NMOS管N0～N2，一个电容C，三个传输门TG1～TG3。电路中，P1和N1构成第一反相器，P2和N2构成第二反相器；P0作为第一反相器与电源VDD之间的传输管；N0作为第一反相器与地端GND之间的传输管。两个反相器级联。第一反相器的输入端接在电容的上极板上，第二反相器的输出端OUT用于输出比较结果。其中一个传输门用于将电容上极板的初始电压置位阈值电压，另外两个传输门用于将电容下级板在输入信号Vin和参考电压Vref之间进行切换。相比传统比较器，本发明的比较器和ADC电路的静态功耗更低，可以降低存算电路的总体功耗。
主权项：1.一种单端比较器，其支持对输入的信号电压Vin进行单比特量化，其特征在于，所述单端比较器包括三个PMOS管P0～P2，三个NMOS管N0～N2，一个电容C，三个传输门TG1～TG3；电路连接关系如下；输入信号Vin和参考电压Vref分别通过TG1和TG2连接在电容C的下极板上；电容C的上级板通过TG3接启动电压Vcm；P0、P2的源极接电源VDD；P0的漏极与P1的源极相连；P1、N1的栅极与电容C的上级板连接；P1、N1的漏极与P2、N2的栅极电连接；N1的源极与N0的漏极相连；N0、N2的源极接地；N0的栅极接使能信号EN；P0的栅极接反相使能信号ENB；P2和N2的漏极相连并作为输出端OUT；在所述单端比较器中，P1和N1构成第一反相器，P2和N2构成第二反相器；启动电压Vcm设置为第一反相器的阈值电压。
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百度查询： 安徽大学 单端比较器、多比特SAR-ADC电路及其芯片
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