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摘要：本申请涉及一种音叉晶片的光刻腐蚀工艺，包括如下步骤：在原料晶片上预设出音叉晶片的切割轮廓线；基于切割轮廓线利用激光光刻对原料晶片进行切割以形成半成品晶片，其中，半成品晶片上将点断形成音叉晶片的轮廓图案；将半成品晶片整体进行湿法腐蚀以分离出音叉晶片。本申请中先通过激光光刻对原料晶片进行切割，再通过湿法腐蚀的方式将音叉晶片进行分离，通过上述方式音叉晶片制造精度高，且生产制造效率高。
主权项：1.一种音叉晶片的光刻腐蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：在原料晶片上预设出音叉晶片的切割轮廓线；基于切割轮廓线利用激光光刻对原料晶片进行切割以形成半成品晶片，其中，半成品晶片上将点断形成音叉晶片的轮廓图案；将半成品晶片整体进行湿法腐蚀以分离出音叉晶片。
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百度查询： 台州昌威电子有限公司 一种音叉晶片的光刻腐蚀工艺
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