龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明公开一种基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：（1）提供待减薄的晶圆；（2）采用减薄工艺对所述晶圆进行减薄至目标厚度；（3）在减薄后的晶圆表面形成氧化层并进行化学机械平坦化处理；（4）在平坦化的晶圆减薄面铺设硅烯层后进行退火处理；本发明在现有的减薄工艺方法基础上，将减薄至目标厚度的晶圆背面进行表面氧化和平坦化处理再铺设硅烯层进行退火以提高完成晶圆背面减薄工艺的晶圆背面的平整度。
主权项：1.一种基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供待减薄的晶圆；（2）采用减薄工艺对所述晶圆进行减薄至目标厚度；（3）在减薄后的晶圆表面形成氧化层并进行化学机械平坦化处理；（4）在平坦化的晶圆减薄面铺设硅烯层后进行退火处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长春长光圆辰微电子技术有限公司 基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号