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摘要：本发明公开了一种OLED面板的双层LTPO背板结构，包括基板、绝缘层PV1、GI层、绝缘层PV2、绝缘层PV3、有机平整层OC，基板上镀上金属层M0，绝缘层PV1覆盖在金属层M0上，绝缘层PV1上镀上a‑si非晶硅层，绝缘层PV1上打VIA1洞，P+层上镀上金属层M0.5，GI层覆盖半导体层、P+层和金属层M0.5，GI层上镀上金属层M1，与P+层形成储存电容Cst；绝缘层PV2覆盖金属层M1，绝缘层PV2镀膜形成IGZO半导体层，IGZO半导体层上分别镀上GI层和金属层M2，GI层将金属层M2与IGZO半导体层隔开；绝缘层PV3覆盖金属层M2和IGZO半导体层，绝缘层PV3上打VIA3洞，绝缘层PV3上镀上金属层M3；本发明公能分别发挥LTPS高电子迁移率、高可靠性和IGZO低漏电流的优点，使OLED面板能达到高分辨率、高稳定性、低功耗的要求。

主权项：1.一种OLED面板的双层LTPO背板结构，包括基板、绝缘层PV1、GI层、绝缘层PV2、绝缘层PV3、有机平整层OC、LTPSTFT半导体层，其特征在于：所述基板上镀上金属层M0，所述绝缘层PV1覆盖在金属层M0上，所述绝缘层PV1上镀上a-si非晶硅层，所述LTPSTFT半导体层包括多晶硅半导体层和P+层；所述绝缘层PV1上打VIA1洞，所述P+层上镀上金属层M0.5，所述GI层覆盖半导体层、P+层和金属层M0.5，所述GI层上镀上金属层M1，与P+层形成储存电容；所述绝缘层PV2覆盖金属层M1，所述绝缘层PV2镀膜形成IGZO半导体层，所述IGZO半导体层上分别镀上GI层和金属层M2，所述GI层将金属层M2与IGZO半导体层隔开；所述绝缘层PV3覆盖金属层M2和IGZO半导体层，所述绝缘层PV3上打VIA3洞，所述绝缘层PV3上镀上金属层M3；所述有机平整层OC覆盖金属层M3，所述有机平整层OC上打OC洞，所述有机平整层OC上镀上阳极金属层与金属层M3相连，接收OVDD电流讯号，所述有机平整层OC上镀上画素定义层PDL，并在阳极金属层处开口，是作为放置OLED的区域；所述a-si非晶硅层通过准分子激光退火工艺转化为多晶硅半导体层，通过高浓度硼离子注入工艺，形成欧姆接触用的P+层；所述金属层M3作为开关TFT的源极、漏极，漏极接收外部IC送入的数据电压讯号，源极和金属层M1相连，将数据电压讯号送到驱动TFT的金属层M1并存储在储存电容中。

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