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摘要：本发明公开一种在半导体器件的深沟槽上形成鳍型结构的方法，该方法包括如下步骤：提供含有深沟槽以及该深沟槽内的多晶硅的掩埋氧化层；在掩埋氧化层和具有多晶硅栅栏的多晶硅上提供鳍型结构；在鳍型结构上设置第一掩膜；在掩埋氧化层和第一掩膜上设置衬垫层，其中，该衬垫层具有处于鳍型结构上方的第一部分，处于鳍型结构侧面上的第二部分以及处于深沟槽和掩埋氧化层上的第三部分；在衬垫层的第一和第二部分上设置第二掩膜；去除第二掩膜以及衬垫层第三部分，以暴露衬垫层的第一和第二部分；去除多晶硅栅栏，并在侧面上形成侧墙。
主权项：1.一种在半导体器件的深沟槽上形成鳍型结构的方法，其中，所述深沟槽包括第一深沟槽和第二深沟槽，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供一掩埋氧化层，所述掩埋氧化层具有所述深沟槽，所述深沟槽内设置有多晶硅；在所述掩埋氧化层和所述多晶硅上提供图案化鳍，其中，所述图案化鳍延伸于所述第一深沟槽和所述第二深沟槽上方，所述多晶硅具有相邻于所述图案化鳍的多晶硅栅栏；在所述图案化鳍上设置第一掩膜；切去所述图案化鳍处于所述第二深沟槽和所述第一深沟槽之间的部分，以形成切割鳍；在所述掩埋氧化层和所述第一掩膜上设置衬垫层，其中，所述衬垫层具有位于所述切割鳍上方的第一部分，位于所述切割鳍侧面的第二部分，以及位于所述第一深沟槽和所述第二深沟槽以及所述掩埋氧化层上的第三部分；在所述衬垫层的所述第一部分和所述第二部分上设置第二掩膜；去除所述第二掩膜以及所述衬垫层的所述第三部分，以暴露出所述衬垫层的所述第一部分和所述第二部分；以及去除所述多晶硅栅栏，并在所述切割鳍的所述侧面形成侧墙，所述方法还包括如下步骤：通过执行套刻控制工艺，将所述第二掩膜与所述切割鳍对准，其中，所述切割鳍的所述侧面与所述深沟槽之间具有开口；以及扩大所述开口，以使得所述开口大至足以去除所述切割鳍的所述深沟槽内的栅栏残留。
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