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摘要：本发明提供一种深沟槽中外延生长的方法，包括：S1：在半导体基底中形成深沟槽；S2：在小于30托的低压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；S3：刻蚀所述外延层以使所述深沟槽的开口敞开；重复上述步骤S2，S3直至所述外延层填满所述深沟槽的23以上深度。本发明先通过重复低压沉积‑刻蚀的循环，使得外延层填满深沟槽的23以上深度，后续可以继续采用低压沉积‑刻蚀的循环，也可以采用30托的高压沉积或者高压沉积‑刻蚀的循环（如有必要），直至外延层完全填满深沟槽的全部深度，解决了高深宽比（30：1以上）沟槽中外延生长的孔洞缺陷问题，提高了外延层的质量，改善了器件可靠性。
主权项：1.一种深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，包括：S1：在半导体基底中形成深沟槽，所述深沟槽的深宽比为30:1以上；S2：在小于30托的低压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；S3：刻蚀所述外延层以使所述深沟槽的开口敞开；重复上述步骤S2，S3直至所述外延层填满所述深沟槽的23以上深度；S4：在大于30托的高压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；直至所述外延层完全填满所述深沟槽的全部深度。
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