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摘要：本发明提供了一种n型缓变掺杂沟道的金刚石场效应管及其制备方法，通过控制高纯磷烷和甲烷气体的磷碳比，以在预处理后的衬底上生长掺杂浓度缓变的金刚石掺杂外延层，使得金刚石掺杂外延层的掺杂浓度从靠近衬底一侧向上缓慢增加，从而制备出低欧姆接触电阻、高输出电流的掺杂金刚石的沟道掺杂浓度缓变的MOSFET器件。本发明避免了选择性掺杂等二次生长的工艺流程，并且能够更精确地控制掺杂浓度和掺杂层厚度，实现更高精度、更高质量的工艺水平，此外本发明的气态掺杂源能够以离化的方式实现晶格损伤更小、掺杂效率更高的金刚石外延生长，因此本发明解决了掺杂金刚石场效应晶体管器件输出电流小、阈值电压高的两个关键难题。
主权项：1.一种n型缓变掺杂沟道的金刚石场效应管的制备方法，其特征在于，包括：S100，选择衬底并对所述衬底作预处理；S200，通过控制高纯磷烷和甲烷气体的磷碳比，以在预处理后的衬底上生长掺杂浓度缓变的金刚石掺杂外延层；其中，金刚石掺杂外延层的掺杂浓度从靠近衬底一侧向上缓慢增加；S300，在所述金刚石掺杂外延层的边沿区域上制备源电极和漏电极，再生长栅介质层以覆盖所述源电极、所述漏电极和所述金刚石掺杂外延层的裸露部分；S400，在所述栅介质层上制备栅电极，得到n型缓变掺杂沟道的金刚石场效应管。
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百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学芜湖研究院 一种n型缓变掺杂沟道的金刚石场效应管及其制备方法
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