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摘要：本发明涉及钙钛矿纳米线技术领域，提供了一种垂直生长渐变纳米线的方法、钙钛矿电池和LED器件，所述垂直生长渐变带隙纳米线的方法包含以下步骤：S1、配置碘化铯溶液、碘化亚锡溶液和碘化铅溶液；S2、分别控制所述碘化铯溶液、所述碘化亚锡溶液和所述碘化铅溶液加入至具有竖直纳米孔的纳米线模具中的量，沿所述纳米孔长度方向分段生长为带隙渐变的钙钛矿纳米线；S3、移除所述纳米线模具，得到具有渐变带隙的钙钛矿纳米线。使用该方法，能解决目前直接使用溶液法制作的钙钛矿纳米线在生长方向不统一、排列杂乱无序，会抑制电荷的传输，从而增加电子和空穴的复合等问题。
主权项：1.一种垂直生长渐变带隙纳米线的方法，其特征在于，包含以下步骤：S1、分别配置浓度为2M的碘化铯溶液、浓度为2M的碘化亚锡溶液和浓度为2M的碘化铅溶液；S2、分别控制所述碘化铯溶液、所述碘化亚锡溶液和所述碘化铅溶液的添加量并加入至具有若干竖直纳米孔的纳米线模具中，沿所述纳米孔长度方向分段生长为带隙渐变的钙钛矿纳米线；S3、移除所述纳米线模具，得到具有渐变带隙的钙钛矿纳米线。
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百度查询： 电子科技大学 一种垂直生长渐变纳米线的方法、钙钛矿电池和LED器件
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