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摘要：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，制备方法包括：在衬底的一侧形成外延层；在外延层的第一表面形成至少一个凹槽；在凹槽内以及外延层的第一表面形成第一氧化物子层；第一氧化物子层覆盖凹槽的底部和侧壁、以及未设置凹槽的外延层的第一表面；氮化物子层覆盖第一氧化物子层；牺牲层覆盖凹槽底部的氮化物子层；去除牺牲层、氮化物子层以及凹槽侧壁上的第一氧化物子层，形成第一氧化物层；第一氧化物层覆盖凹槽的底部；第二氧化物层覆盖第一氧化物层、凹槽的侧壁以及外延层的第一表面；在第二氧化物层远离衬底的一侧形成栅极。本发明可以提高器件导通性能以及承压能力。
主权项：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧形成外延层；所述外延层包括远离所述衬底的第一表面；在所述外延层的第一表面形成至少一个凹槽；在所述凹槽内以及所述外延层的第一表面形成第一氧化物子层；所述第一氧化物子层覆盖所述凹槽的底部和侧壁、以及未设置所述凹槽的所述外延层的第一表面；在所述第一氧化物子层远离所述衬底的一侧形成氮化物子层；所述氮化物子层覆盖所述第一氧化物子层；在所述氮化物子层远离所述衬底的一侧形成牺牲层；所述牺牲层覆盖所述凹槽底部的氮化物子层；去除所述牺牲层、所述氮化物子层以及所述凹槽侧壁上的第一氧化物子层，形成第一氧化物层；所述第一氧化物层覆盖所述凹槽的底部；在所述第一氧化物层远离所述衬底的一侧形成第二氧化物层；所述第二氧化物层覆盖所述第一氧化物层、所述凹槽的侧壁以及所述外延层的第一表面；所述第二氧化物层的厚度小于所述第一氧化物层的厚度；在所述第二氧化物层远离衬底的一侧形成栅极。
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百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
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