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摘要：本发明揭示了一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置可包括具有源极区域和漏极区域的基板，以及设置在该基板上方且位于该源极区域和该漏极区域之间的栅极。第一层间介电ILD层可以至少部分地设置在该基板和该栅极上方。导电场板可设置在该第一层间介电层上方。至少一个漏极触点可延伸穿过该漏极区域上方的该第一层间介电层并可耦合到该导电场板。漏极捕获结构可设置在该第一层间介电层中且邻近该漏极区域，该漏极捕获结构具有包含气隙的沟槽，其中，该漏极捕获结构与该栅极的侧壁横向隔开。
主权项：1.一种半导体装置，包括：基板，其具有源极区域和漏极区域；栅极，其设置在该基板上并位于该源极区域和该漏极区域之间；第一层间介电ILD层，其至少部分地设置在该基板和该栅极上方；导电场板，其设置在该第一层间介电层上方，其中，该导电场板包括由板开口隔开的第一板部分和第二板部分；至少一个漏极触点，其延伸穿过该漏极区域上方的该第一层间介电层并实体地耦合该导电场板；漏极捕获结构，其设置在该第一层间介电层中并部分地设置在该漏极区域上，该漏极捕获结构包括第一环形屏障和第二环形屏障，其中，该第一环形屏障和该第二环形屏障各自环绕该至少一个漏极触点，且限定沟槽在该第一环形屏障和该第二环形屏障间，其中，该沟槽包括气隙，且其中，该漏极捕获结构与该栅极的侧壁横向隔开；其中，该第一板部分和该第二板部分重叠并直接接触该第二板部分，且该第二板部分是连续板，其和该至少一个漏极触点和该第一环形屏障重叠并直接接触该至少一个漏极触点和该第一环形屏障。
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