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摘要：本发明公开了一种气体输送装置、半导体器件的工艺方法和工艺设备。该装置包括：第一组气路，进气端连接载气源和TEOS源，传输包括载气和TEOS的第一组气体；第二组气路，进气端连接补充气体源，传输包括补充气体的第二组气体；第三组气路，进气端连接臭氧源，传输包括臭氧的第三组气体；以及若干混气部，其进气端分别连接第一组气路、第二组气路，以及第三组气路的出气端，以获取等比例的第一组气体、第二组气体和第三组气体并混合，将混合气体从各混气部的出气端平均分配到反应腔内对应的各处理站进行沉积工艺。本发明能够提升多组工艺气体分配的均匀性，从而降低各处理站的膜厚差异，同时还能提升TEOS的冷凝温度，改善薄膜颗粒污染。
主权项：1.一种气体输送装置，其特征在于，包括：第一组气路，其进气端连接载气源和TEOS源，用于传输包括载气和TEOS的第一组气体；第二组气路，其进气端连接补充气体源，用于传输包括补充气体的第二组气体；第三组气路，其进气端连接臭氧源，用于传输包括臭氧的第三组气体；以及若干个混气部，其进气端分别连接所述第一组气路、所述第二组气路，以及所述第三组气路的出气端，以获取等比例的所述第一组气体、所述第二组气体和所述第三组气体并混合，将混合气体从各所述混气部的出气端平均分配到反应腔内对应的各处理站，进行沉积工艺。
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百度查询： 拓荆科技股份有限公司 气体输送装置、半导体器件的工艺方法和工艺设备
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