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摘要：一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供衬底，衬底包括依次邻接的存储区域和边界区域；在衬底上形成初始导电层；图形化初始导电层以形成多个初始位线结构和初始位线接触层，多个初始位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布；形成设有多个第一开口的刻蚀掩膜；以刻蚀掩膜为掩膜图形化初始位线结构和初始位线接触层，以形成多个位线结构和多个位线接触垫；形成位线隔离结构，位线隔离结构包括位于位线结构之间的第一隔离部以及位线接触垫之间的第二隔离部，第一隔离部的第一宽度大于第二隔离部的第二宽度。上述半导体结构的形成方法可以提高半导体结构的可靠性。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括依次邻接的存储区域和边界区域，所述存储区域包括阵列区域和虚设区域；在所述衬底上形成初始导电层；图形化存储区域的初始导电层以形成多个初始位线结构，保留边界区域的初始导电层以形成初始位线接触层，所述多个初始位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布；形成设有多个第一开口的刻蚀掩膜，所述多个第一开口暴露所述虚设区域的部分初始位线结构和所述边界区域的部分初始位线接触层；以所述刻蚀掩膜为掩膜图形化所述初始位线结构和所述初始位线接触层，以形成多个位线结构和多个位线接触垫；形成位线隔离结构，所述位线隔离结构包括位于所述位线结构之间的第一隔离部以及所述位线接触垫之间的第二隔离部，所述第一隔离部的第一宽度大于所述第二隔离部的第二宽度。
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百度查询： 长鑫科技集团股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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