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摘要：本公开提供一种超高压硅电容的制作方法、系统、硅电容以及电子设备，方法包括：在硅衬底上刻蚀深沟槽；沉积生成介质层，采用CMP工艺进行表面平坦化处理；沉积生成钨导电层，采用CMP工艺进行表面平坦化处理；沉积生成IMD层；在IMD层开孔，沉积生成钨电极接触层，采用CMP工艺进行表面平坦化处理；沉积生成铝铜导电层，一段铝铜导电层通过第一钨电极接触层与介质层连接，另一段铝铜导电层通过第二钨电极接触层与硅衬底连接；将晶圆的背面减薄，以使减薄后的晶圆的厚度小于深沟槽的深度。本公开通过将沟槽底部圆弧角落磨除，消除电场在底部圆弧聚集，达到超高压的目标，消除了深沟槽结构弱点，提升硅电容的耐压性能及可靠性。
主权项：1.一种超高压硅电容的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在硅衬底上刻蚀深沟槽；沉积生成介质层，采用CMP工艺进行表面平坦化处理，以去除晶圆表面的所述介质层；沉积生成钨导电层，采用CMP工艺进行表面平坦化处理，以去除所述晶圆表面的所述钨导电层；沉积生成IMD层；在所述IMD层开孔，沉积生成钨电极接触层，采用CMP工艺进行表面平坦化处理，以去除所述晶圆表面的所述钨电极接触层；其中，所述钨电极接触层包括：与所述介质层连接的第一钨电极接触层，以及与所述硅衬底连接的第二钨电极接触层；沉积生成铝铜导电层，一段所述铝铜导电层与所述第一钨电极接触层连接，另一段所述铝铜导电层与所述第二钨电极接触层连接；将所述晶圆的背面减薄，以使减薄后的晶圆的厚度小于深沟槽的深度。
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