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摘要：本发明公开了数据驱动直拉硅单晶直径自抗扰学习控制方法，首先对直拉硅单晶生长系统中的晶体直径控制过程进行迭代轴方向上的紧格式动态线性化CFDL，以获取迭代轴上的CFDL数据模型；然后基于CFDL数据模型的输入输出量测数据设计参数迭代估计算法，对自抗扰学习控制算法中的伪偏导数PPD进行实时估计；基于迭代扩张状态观测器ESO设计非线性项迭代估计算法，并用于估计自抗扰学习控制算法中的不确定性总扰动；最后实现不同扰动影响下的晶体直径批次学习控制。本发明解决了现有晶体直径控制技术方法难以处理单晶炉重复运行下的硅单晶直径批次控制不稳定问题，以及因非重复的批次间不确定性干扰所导致的晶体直径控制不精准的问题。
主权项：1.数据驱动直拉硅单晶直径自抗扰学习控制方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、对直拉硅单晶生长系统中的晶体直径控制过程进行迭代轴方向上的紧格式动态线性化CFDL，以获取迭代轴上的CFDL数据模型；步骤2、基于CFDL数据模型的输入输出量测数据设计参数迭代估计算法，对自抗扰学习控制算法中的伪偏导数PPD进行实时估计；步骤3、基于迭代扩张状态观测器ESO设计非线性项迭代估计算法，并用于估计自抗扰学习控制算法中的不确定性总扰动；步骤4、设计迭代自适应误差反馈控制律，并构建直拉硅单晶生长过程的控制结构，从而实现不同扰动影响下的晶体直径批次学习控制。
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百度查询： 西安理工大学 数据驱动直拉硅单晶直径自抗扰学习控制方法
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