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摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式的等离子体处理方法中，包括在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行，在第二期间内第一高频功率被供给到基片支承台的下部电极，在第一期间内停止对下部电极供给第一高频功率，在第二期间内的第一高频功率的各周期内作为脉冲状的高频功率供给等离子体生成用的第二高频功率，第二高频功率具有比第一高频功率的频率高的频率。本发明能够设定蚀刻中使用的离子的能量。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；设置在所述等离子体处理腔室中的基片支承台；设置于所述基片支承台的下部电极；第一高频电源，其构成为能够供给第一高频功率以在所述等离子体处理腔室生成等离子体，所述第一高频功率具有第一频率；第二高频电源，其构成为能够对所述下部电极供给第二高频功率，所述第二高频功率具有比所述第一频率低的第二频率；和控制部，其构成为能够控制所述第一高频电源和所述第二高频电源，以执行以下处理：处理a，在第一期间中执行第一等离子体处理；处理b，在不同于所述第一期间的第二期间中执行第二等离子体处理，所述第二期间包括多个周期，每个所述周期包括第一周期期间和不同于所述第一周期期间的第二周期期间；和处理c，反复执行所述处理a和所述处理b，所述第一等离子体处理包括连续地或脉冲状地供给所述第一高频功率的处理，所述第二等离子体处理包括：在每个周期中对所述下部电极供给所述第二高频功率的处理；在所述第一周期期间供给所述第一高频功率的处理；和在所述第二周期期间持续地停止供给所述第一高频功率的处理。
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百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
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