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摘要：本发明公开了一种功率器件、功率模块、功率转换电路和车辆。该功率器件包括：衬底；外延层，外延层位于衬底的一侧，外延层远离衬底的一侧设置有体区和有源区；外延层远离衬底的一侧设置有至少一个第一凹槽；第一凹槽在衬底的正投影为封闭图形；有源区一一对应围绕第一凹槽的侧壁设置；体区一一对应围绕第一凹槽的侧壁设置；至少一个包围栅沟槽型栅极结构，包围栅沟槽型栅极结构和第一凹槽一一对应设置；包围栅沟槽型栅极结构包括第一介质层、栅极以及第二介质层；源极，源极位于外延层远离衬底的一侧；漏极，漏极位于衬底远离外延层的一侧。本发明实施例提供的技术方案提高了功率器件的电流密度。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层远离所述衬底的一侧设置有体区和有源区，所述有源区位于所述体区远离所述衬底的一侧；所述外延层远离所述衬底的一侧设置有至少一个第一凹槽；所述第一凹槽在所述衬底的正投影为封闭图形；所述有源区一一对应围绕所述第一凹槽的侧壁设置；所述体区一一对应围绕所述第一凹槽的侧壁设置；至少一个包围栅沟槽型栅极结构，所述包围栅沟槽型栅极结构和所述第一凹槽一一对应设置；所述包围栅沟槽型栅极结构包括第一介质层、栅极以及第二介质层，所述第一介质层位于所述第一凹槽的底部和侧壁，所述栅极位于所述第一介质层远离所述第一凹槽的底部和侧壁的一侧，所述第二介质层覆盖所述第一介质层和所述栅极；源极，所述源极位于所述外延层远离所述衬底的一侧；漏极，所述漏极位于所述衬底远离所述外延层的一侧。
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百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件、功率模块、功率转换电路和车辆
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