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摘要：本发明公开了一种基于非极性面p型GaN高性能欧姆接触及其制备和应用，包括非极性p‑GaN层、横向生长的周期性p型AlGaNGaN凹槽层以及欧姆接触电极；在所述非极性p‑GaN层的一面开有下沉凹槽，所述横向生长的周期性p型AlGaNGaN凹槽层位于所述下沉凹槽中，所述下沉凹槽的槽深方向为纵向，槽长方向为横向，所述欧姆接触电极位于所述横向生长的周期性p型AlGaNGaN凹槽层远离下沉凹槽的一面。本发明通过横向生长的AlGaNGaN异质结建立多条导电沟道，利用极化诱导掺杂提高Mg离子离化率，增强器件电流注入效率，实现高性能的p型欧姆接触。
主权项：1.一种基于非极性面p型GaN高性能欧姆接触，其特征在于，包括非极性p-GaN层、横向生长的周期性p型AlGaNGaN凹槽层以及欧姆接触电极；在所述非极性p-GaN层的一面开有下沉凹槽，所述横向生长的周期性p型AlGaNGaN凹槽层位于所述下沉凹槽中，所述下沉凹槽的槽深方向为纵向，槽长方向为横向，所述欧姆接触电极位于所述横向生长的周期性p型AlGaNGaN凹槽层远离下沉凹槽的一面。
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百度查询： 西安电子科技大学 一种基于非极性面p型GaN高性能欧姆接触及其制备和应用
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