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摘要：本发明提供了一种氧化铝蚀刻液及其制备方法、应用，涉及蚀刻液的技术领域，该氧化铝蚀刻液包括按质量百分比计的以下组分：磷酸胺类蚀刻剂0.50％‑25.00％、pH缓冲剂0.50％‑15.00％、表面活性剂0.01％‑10.00％以及巯基醇类缓蚀剂0.10％‑10.00％，余量为水。本发明解决了现有技术中含氟蚀刻剂在刻蚀氧化铝的同时会严重腐蚀非金属low‑k材料的技术问题，达到了在有效移除氧化铝阻挡层的同时几乎不会腐蚀下方氮化铝及所接触介质层的技术效果，操作窗口大，在半导体晶片湿法刻蚀领域中的应用前景较好。
主权项：1.一种氧化铝蚀刻液，其特征在于，包括按质量百分比计的以下组分：磷酸胺类蚀刻剂0.50％-25.00％、pH缓冲剂0.50％-15.00％、表面活性剂0.01％-10.00％以及巯基醇类缓蚀剂0.10％-10.00％，余量为水；所述pH缓冲剂包括磷酸氢二铵、磷酸二氢铵、丁二酸铵、酒石酸铵以及柠檬酸铵中的至少一种。
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百度查询： 上海盛剑微电子有限公司 氧化铝蚀刻液及其制备方法、应用
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