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摘要：本发明涉及一种耐高温‑抗辐照‑隐身多功能一体化陶瓷基复合材料的制备方法，包括以下步骤：a.球磨制备包含功能填充颗粒的涂敷浆料和化学气相渗透CVI工艺制备碳化硅SiC预制布；b.将混合浆料均匀涂敷于SiC预制布表面并堆叠整齐固定；c.将叠层固定好的预制体进行CVI工艺沉积氮化硅Si3N4基体进行致密化。本发明提供的制备方法实现了陶瓷基复合材料的耐高温‑抗辐照‑隐身多功能结构一体化，加强了陶瓷基辐射屏蔽材料在高温环境中的力学性能，提高了陶瓷基复合材料的多功能性和高温环境耐久性，同时拓展了陶瓷基复合材料的应用范围。
主权项：1.一种耐高温-抗辐照-隐身多功能一体化陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：采用CVI工艺对多张SiC纤维布依次沉积氮化硼BN界面和氮化硅Si3N4保护层；所述沉积氮化硼BN界面时先驱体气源为三氯化硼BCl3和氨气NH3，其中BCl3为硼源，NH3为氮源，载气为氩气Ar，稀释气体为氢气H2；所述沉积氮化硅Si3N4保护层时先驱体气源为四氯化硅SiCl4和氨气NH3，其中SiCl4为硅源，NH3为氮源，载气为氩气Ar，稀释气体为氢气H2；步骤2：将混合涂敷浆料涂敷于步骤1沉积后的每张SiC预制布表面，然后将多张SiC预制布叠层固定；所述混合涂敷浆料是体积分数为50％～60％的W粉、20％～30％的B4C粉和10％～20％的Sm2O3粉的混合粉末与超纯水混合后，再加入聚碳硅烷PCS制成；所述再加入的聚碳硅烷PCS为50～60wt％；相对于谁的百分比？步骤3：采用CVI工艺沉积Si3N4基体使SiC预制布致密化处理，得到耐高温-抗辐照-隐身多功能一体化陶瓷基复合材料；所述CVI工艺沉积Si3N4基体时，先驱体气源为四氯化硅SiCl4和氨气NH3，其中SiCl4为硅源，NH3为氮源，载气为氩气Ar，稀释气体为氢气H2。
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百度查询： 西北工业大学 一种耐高温-抗辐照-隐身多功能一体化陶瓷基复合材料的制备方法
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