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摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种低介电氮化硅薄膜及其制备方法和应用。所述低介电氮化硅薄膜的制备方法包括以下步骤：S1.将有机氨基硅烷前驱体通入反应室，通过原子层沉积在衬底表面得到第一反应物；S2.在反应室中通入助剂与第一反应物接触反应，得到第二反应产物；S3.在反应室中通入含等离子体源气体与第二反应产物接触反应，得到低介电氮化硅薄膜所述助剂是含氮MOF材料。本发明的关键在于引入含氮MOF材料作为牺牲模版助剂与有机氨基硅烷前驱体反应，有利于将金属和碳均匀地掺杂到氮化硅薄膜中，由此制备得到的氮化硅薄膜具有低介电常数、低密度以及降低湿刻蚀速率的性能。
主权项：1.一种低介电氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1.将有机氨基硅烷前驱体通入反应室，通过原子层沉积在衬底表面得到第一反应物；S2.在反应室中通入助剂与第一反应物接触反应，得到第二反应产物；S3.在反应室中通入含等离子体源气体与第二反应产物接触反应，得到低介电氮化硅薄膜；所述助剂是含氮MOF材料。
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百度查询： 大连恒坤新材料有限公司 一种低介电氮化硅薄膜及其制备方法和应用
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