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摘要：提供了一种金属硅化物触点的形成工艺，其包含提供具有底部晶体硅和介电侧壁的衬底。接着可使用金属卤化物前体和还原剂通过金属层沉积而在底部晶体硅上选择性形成金属层。还原剂流速与金属卤化物前体流速的比例至少为10:1或10:1‑10,000:1。在沉积金属层之后，将衬底退火以将该金属层转化成金属硅化物层而不污染衬底。
主权项：1.一种方法，其包含：提供特征，其具有特征底部和特征侧壁，其中所述特征底部包含晶体硅表面，且所述特征侧壁包含氧化物或氮化物表面；将所述特征暴露于金属卤化物前体流和还原剂流，所述金属卤化物前体流包含金属卤化物前体，而所述还原剂流包含还原剂，由此在所述晶体硅表面上选择性地形成金属层，其中所述金属卤化物前体流和所述还原剂流具有至少10:1的流速比；以及将所述金属层退火以形成金属硅化物层。
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