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摘要：一种形成源极漏极区的方法包括形成第一纳米结构于基板上方。然后形成第二纳米结构于第一纳米结构上方。磊晶生长第一源极漏极区相邻于第一纳米结构。磊晶生长第二源极漏极区于第一源极漏极区上方及相邻于第二纳米结构。执行布植工艺以布植杂质于第二源极漏极区中。布植工艺在第二源极漏极区内形成非晶相区。对第二源极漏极区执行快速热工艺，执行快速热工艺再结晶非晶相区的一部分。
主权项：1.一种形成源极漏极区的方法，其特征在于，包括：形成多个第一纳米结构于一基板上方；形成多个第二纳米结构于所述多个第一纳米结构上方；磊晶生长一第一源极漏极区相邻所述多个第一纳米结构；磊晶生长一第二源极漏极区于该第一源极漏极区上方及相邻所述多个第二纳米结构；执行一布植工艺以布植多个杂质于该第二源极漏极区中，其中该布植工艺在该第二源极漏极区内形成一非晶相区；以及对该第二源极漏极区执行至少一快速热工艺，其中执行该快速热工艺的每一者再结晶该非晶相区的一部分。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成源极/漏极区的方法
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