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摘要：本公开提供了一种非易失性存储器以及编程方法。编程方法包括：针对第N条字线的多个第一存储单元进行读取动作，并判断第一存储单元的等效阈值电压是否大于预设阈值来产生判断结果，其中N为大于1的正整数；以及，当针对第N+1条字线的多个第二存储单元进行编程动作时，根据判断结果以决定是否调整多个编程验证电压中的至少一选中编程验证电压一偏移值。
主权项：1.一种编程方法，适用于一非易失性存储器，包括：针对一第N条字线的多个第一存储单元进行读取动作，并判断这些第一存储单元的一等效阈值电压是否大于一预设阈值来产生一判断结果，其中N为大于0的正整数；以及当针对一第N+1条字线的多个第二存储单元进行编程动作时，根据该判断结果以决定是否调整多个编程验证电压中的至少一选中编程验证电压一偏移值。
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百度查询： 旺宏电子股份有限公司 非易失性存储器以及编程方法
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