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摘要：本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。垂直LED芯片的制备方法包括以下步骤：提供外延片；形成介质层、金属反射层和键合层；与第二衬底键合；去除第一衬底；将电极主体所对应区域的N型接触层去除，形成电极主体孔，电极主体孔的尺寸大于电极主体的尺寸；形成N电极，电极主体形成于电极主体孔内；保留电极扩展条下方的N型接触层，并去除其他区域的N型接触层；形成光刻胶层；对N型半导体层进行粗化处理；去除残余的光刻胶层；在第二衬底远离键合层的一侧形成P电极。实施本发明，可以垂直LED芯片的生产良率和可靠性。
主权项：1.一种垂直LED芯片的制备方法，所述垂直LED芯片包括N电极，所述N电极包括电极主体和电极扩展条，所述电极扩展条连接于所述电极主体的周围；其特征在于，制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和依次层叠于所述第一衬底上的N型接触层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；S2、在所述P型半导体层上依次形成介质层、金属反射层和键合层；S3、将步骤S2得到的外延片与第二衬底键合；S4、去除第一衬底，暴露所述N型接触层；S5、将所述电极主体所对应区域的N型接触层去除，形成电极主体孔，所述电极主体孔的尺寸大于所述电极主体的尺寸；S6、在步骤S5得到的外延片上形成N电极，其中，所述电极主体形成于所述电极主体孔内，所述电极扩展条至少部分位于所述N型接触层上；S7、保留电极扩展条下方的N型接触层，并去除其他区域的N型接触层；S8、在步骤S7得到的外延片上形成光刻胶层，并光刻显影使所述光刻胶层包裹所述电极主体和所述电极扩展条；S9、对所述N型半导体层进行粗化处理；S10、去除残余的光刻胶层；S11、在所述第二衬底远离所述键合层的一侧形成P电极。
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