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摘要：本披露提供一种降低了形成在SiC单晶基上的含碳层的表面粗糙度Ra的复合衬底。此外，本披露提供一种复合衬底的制造方法。本披露的复合衬底具备：SiC单晶衬底；以及含碳层，与SiC单晶衬底的表面相接地配置，且包含重构表面层和石墨烯层层叠而成的层叠体或石墨烯层的任意一种；且在利用原子力显微镜所进行的观测中，每2×2μm2中的与SiC单晶衬底相接的含碳层的表面粗糙度Ra为1.0nm以下。
主权项：1.一种复合衬底的制造方法，包括如下步骤：在SiC单晶衬底上沉积抑制所述SiC单晶衬底的热分解的顶盖膜；实施热处理来去除所述顶盖膜；以及实施所述热处理，在所述SiC单晶衬底上形成含碳层，所述含碳层包含重构表面层和石墨烯层层叠而成的层叠体或石墨烯层的任意一种；且所述顶盖膜的膜厚构成为，在从所述SiC单晶衬底的热分解开始的温度到形成所述石墨烯层的温度为止的至少一部分的温度区域中残存。
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百度查询： 罗姆股份有限公司 复合衬底及其制造方法
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