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摘要：一种半导体装置可包括半导体衬底和隔离结构，所述隔离结构包括：第一介电层，其形成于所述半导体衬底上方，所述第一介电层包括一个或多个气隙；以及第一导电结构，其形成于所述介电层上，所述导电结构具有面向所述半导体衬底的下表面。所述第一介电层的所述一个或多个气隙中的相应气隙各自可安置在所述导电结构的所述下表面的拐角与所述半导体衬底的正中间。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；以及隔离结构，其包括：第一介电层，其安置于所述半导体衬底上方，所述第一介电层包括一个或多个气隙；以及第一导电结构，其形成于所述介电层上，所述导电结构具有面向所述半导体衬底的下表面，其中所述第一介电层的所述一个或多个气隙中的相应气隙各自安置在所述导电结构的所述下表面的拐角与所述半导体衬底的正中间。
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