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摘要：一种金属‑绝缘体‑金属装置及其制造方法，金属‑绝缘体‑金属MIM装置包括第一金属、设置在第一金属上的第一覆盖层、设置在第一覆盖层上的绝缘体层、设置在绝缘体层上的第二覆盖层、设置在第一金属上的第二覆盖层及设置在第二覆盖层上的第二金属。第一覆盖层及第二覆盖层均包括具有四方晶格相的介电材料。
主权项：1.一种制造金属-绝缘体-金属装置的方法，其特征在于，包括：在一第一金属上形成一第一覆盖层，其中该第一覆盖层包括至少包含锆及氧并具有一四方晶格相的一组合物；在该第一覆盖层上形成一Hf1-xZrxO2绝缘体层；在该Hf1-xZrxO2绝缘体层上形成一第二覆盖层，其中该第二覆盖层包括至少包含锆及氧并具有该四方晶格相的一组合物；以及在该第二覆盖层上形成一第二金属。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 金属-绝缘体-金属装置及其制造方法
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