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摘要：本发明提供一种铁电器件用TiN基薄膜、铁电结构及其制备方法和应用。所述TiN基薄膜的制备方法包括：采用等离子体增强原子层沉积技术在衬底上沉积TiN基前体薄膜，其中所述衬底具有六方晶向结构，所述TiN基前体薄膜的材质包括TiN；在惰性气氛条件下，对所述TiN基前体薄膜进行第一退火处理，得到TiN基薄膜。本发明使用等离子体增强原子层沉积技术沉积TiN，并在沉积后进行高温退火处理，能够促使TiN由多晶向单晶转变，电阻率显著降低；后续在所述TiN基薄膜上沉积铁电层，能够促使铁电材料正交铁电性的生成。
主权项：1.一种铁电器件用TiN基薄膜的制备方法，其特征在于，包括：采用等离子体增强原子层沉积技术在衬底上沉积TiN基前体薄膜，其中所述衬底具有六方晶向结构，所述TiN基前体薄膜的材质包括TiN；在惰性气氛条件下，对所述TiN基前体薄膜进行第一退火处理，得到TiN基薄膜。
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百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 铁电器件用TiN基薄膜、铁电结构及其制备方法和应用
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