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一种伐地那非智能识别质谱电离元件的制备方法及其应用 

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摘要:本发明公开了一种伐地那非智能识别质谱电离元件的制备方法及其应用,其中,制备伐地那非智能识别质谱电离元件的方法制备得到的识别元件质谱电离元件涂层均匀,对伐地那非吸附和富集作用的特异性好,吸附力强。通过施加高压电,智能识别质谱电离元件作为敞开式质谱离子源的元件,实现伐地那非的离子化,进入质谱进行检测分析。

主权项:1.一种伐地那非智能识别质谱电离元件的制备方法,其特征在于,包括:提供活化的金属基底;将所述活化的金属基底与四乙氧基硅烷接触,通过水解和第一缩合反应,在不锈钢表面形成硅氧烷网络Si-O-Si,以便得到表面修饰硅氧键的基底;将所述表面修饰硅氧键的基底与3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷接触,通过MPS中的甲氧基硅烷基团与不锈钢表面Si-OH基团进行第二缩合反应,以便在不锈钢表面引入丙烯酸酯基团,进行双键修饰,得到双键修饰的基底;将所述双键修饰的基底与伐地那非、功能单体与致孔剂接触进行预组装反应,以便得到预组装体系;将所述预组装体系与交联剂和引发剂接触,进行聚合反应;重复进行所述预组装反应和所述聚合反应重复进行2-5次,以便得到伐地那非智能识别电离元件初品;以及将所述伐地那非智能识别质谱电离元件初品进行洗脱处理,以便得到所述伐地那非智能识别质谱电离元件。

全文数据:

权利要求:

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